一、先明确样品形态与测试用途
裸晶圆研发表征：SiC/GaN、IGBT、功率MOS晶圆级静态、动态参数测试，优先选用电动半自动探针台；少量切片、单颗晶粒评估可选用手动探针台。大批量晶圆筛选（CP测试）选择全自动机型，支持自动Mapping。
分立封装器件、KGD已知良好裸芯：无需大行程晶圆载台，重点关注高压绝缘、大电流回流与温控适配。
区分测试类型
静态测试（击穿电压、漏电流、导通电阻）重点解决高压防电弧、低漏电；
动态开关测试、UIS、短路测试，额外要求低寄生电感、良好屏蔽。
二、电学指标匹配（功率器件核心选型依据）
耐压等级
常规硅功率器件：≥1.2kV；SiC器件常需要3kV~10kV。高电压场景优先三轴屏蔽结构，抑制漏电流，满足pA级反向漏电测量；绝缘框架、载台绝缘层必须满足对应耐压，控制爬电距离。
电流承载能力
区分直流持续电流与脉冲电流。大电流工况不能依靠单针，需支持多针并联探针/功率探针卡；载台表面加厚镀金，降低晶圆背面接触电阻，避免大电流发热、数据漂移。
寄生参数控制
高速宽禁带器件动态测试，要求探针台、探针夹具、载台引线寄生电感尽可能低；普通直流静态测试对寄生指标要求相对宽松。
三、载物台（Chuck）关键要求
尺寸兼容：确认适配4/6/8/12英寸晶圆，同时支持薄晶圆、翘曲晶圆真空吸附。
温控功能
车规功率器件普遍需要高低温测试。常用区间-55℃~300℃；部分高温可靠性测试拓展至350~400℃。温控载台必须具备良好导电回流能力，同时冷热循环下位置漂移小，防止探针对位偏移。
结构材质
台面镀金处理，保证低接触电阻；底层高压隔离设计，防止高压窜入机身。
四、探针系统配置方案
研发单探针方案（独立探针座）
灵活调整点位，适合器件结构研发；高压选用圆弧头高压探针，减少电场集中打火；大电流采用多触点大功率探针。
批量测试方案（功率探针卡）
多路通道隔离、均流设计，通道之间防串扰；适合标准化晶圆批量测试。
探针座夹具类型
常规DC选用同轴夹具；高精度微漏电流测试选用三轴屏蔽夹具。
五、防电弧、屏蔽与安全系统
高压电弧抑制
高电压常压环境极易发生沿面击穿。优先选配密闭腔体、干燥氮气吹扫接口；超高电压场景可选密闭微环境腔体。
电磁屏蔽
动态开关测试EMI干扰明显，整机带金属屏蔽腔体，降低外界噪声，同时防止测试信号外泄。
安全联锁
高压模式下舱门开启自动切断输出，配备安全防护罩，避免人员触电风险。
六、运动定位系统选型
手动探针台
预算低、样品量少、高校基础研发；适合少量切片调试，缺点重复性较差，不适合长时间连续测试。
半自动电动探针台
行业主流，电动XYθ载台、光学对位，定位重复性高，兼顾灵活性与效率，适合企业研发实验室。
全自动探针台
配备晶圆机械手、自动视觉识别，用于产线大批量CP测试，采购与维护成本高。
定位精度建议优于±1μm，高低温机型重点关注温度循环下热漂移指标。
七、光学观测系统
选用同轴照明三目显微镜，方便观察微小焊盘；SiC器件焊盘尺寸偏小，需搭配高倍率物镜与高清CCD；视野景深满足扎针高度观测，便于控制探针接触力，防止压伤焊盘。
八、环境扩展能力
是否需要真空腔体：普通常压测试无需；特殊材料、避免表面氧化场景选配真空模块。
震动隔离：功率测试搭配精密源表，对震动敏感，设备底座需要隔震结构。
接口兼容性：确认载台信号引出方式可以匹配功率半导体参数分析仪、动态测试系统。
九、长期运行与运维考量
大功率持续测试会持续发热，确认载台冷却系统能力；
配件通用性：高压探针、密封件、镀金载台耗材易采购；
区分研发与量产：研发看重灵活可拓展；量产重点关注稳定性、连续运行能力。
十、精简选型步骤
确定器件类型（Si/SiC/GaN）、样品形态（整片晶圆/切片/封装芯片）；
列出最高耐压、最大电流、是否需要高低温、静态还是动态测试；
根据样品数量选择手动/半自动/全自动机型；
核对载台尺寸、温控区间、绝缘耐压规格；
确定采用独立探针座还是功率探针卡，选配三轴屏蔽、氮气防电弧腔体；
确认光学系统、安全联锁、测试仪表接口匹配，结合预算最终定型。
